微波数字基站用上GaN晶体管

　　日经BP社2006年5月 0道NHK放送技术研究所开发成功了面向微波数字电视中继站的、配备使用GaN（氮化镓）半导体晶体管的功率放大器，并在2006年5月25～28日举行的“技研展2006”上展出。通过用GaN晶体管替代原来的使用硅的晶体管，将功率放大器的尺寸减至原来的一半以下。同时有望“降低生产成本”。目标是在2006年内采用。为了把微波数字电视的电波传送到山区和海岛等偏远地区，必须设立很多中继站，而这时就需要解决设备尺寸减小和成本降低等重要问题。

　　此次功率放大器之所以能实现小型化，有两方面的原因。即：通过提高效率来控制发热量；通过控制信号失真来简化电路。效率方面，从原来的 ％～5％提高到现在的10％。约提高到了2倍。“原产品为得到5W的输出功率，需要输入100W，其中95W转化为热量。而此次获得相同的输出功率，只需输入50W即可。发热量控制在45W内”（解说员）。由于发热量减少，原来整个机体都需配置散热片，而现在只需在下部配置即可。信号失真方面，通过采用GaN晶体管来控制，因此利用简单的失真补偿电路就可解决问题。功率放大器中配备的GaN晶体管由优迪那半导体公司(Eudyna Devices)制造。每个功率放大器中配备2个GaN晶体管（图）。功率放大器的研究是与R&K公司合作进行的。