闪存芯片市场结构调整波动成长

作为仅次于动态存储器（DRAM）市场的存储器产品，近几年在全球和通信产品如数码相机、平板电脑、、便携式音乐播放器等带动下，市场规模持续增长。然而闪存芯片的两大类NAND Flash和NOR Flash却经历着不同的命运：前者市场尽管经历了多年跌宕起伏，但仍保持快速增长态势，未来前景可期；后者市场规模近年来则持续萎缩。

2012年，受终端消费产品低迷、闪存产能过剩等因素的影响，全球闪存芯片市场销售额出现7%以上的负增长。然而得益于本土消费电子产品市场的稳步发展，中国闪存芯片市场略有下降。

随着移动互联的快速发展，近年来国内相继崛起了一批优秀企业，如展讯、锐迪科、格科微等，目前也有本土企业抓住机遇涉足闪存芯片市场其连锁店在全球超过390间。

一、国内市场波动成长，产品结构加剧调整

作为全球最重要的电子产品制造基地之一，近几年中国对闪存芯片的需求保持快速增长的态势。2012年，在全球金融低迷导致的消费电子产品需求下降、闪存产能过剩等负面因素的影响下，中国闪存芯片市场规模略微下降1.0%。形成这种局面的主要原因，除了电子整机需求低于预期外，2012年闪存产品单价大幅下降也是导致市场规模下滑的重要原因。

从产品结构来看，中国NAND Flash市场与去年基本持平，市场规模达6 .7亿元。根据存储单元的不同，NAND Flash目前可以分为Single Layer Cell（SLC）、Multi-Level Cell（MLC）和Triple-Level Cell（TLC）三类，产品价格依次递减。短时间内MLC仍会是主流产品，SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活；随着TLC性能的提升，其将成为未来中低端领域NAND Flash的主要产品。2012年SLC、MLC、TLC市场销售额分别为 9.9亿元、447.4亿元、146.4亿元。

图1 2008－2015年中国闪存市场销售额规模及预测

同时，NOR Flash市场出现10%以上的萎缩，市场规模达74.9亿元。按NOR Flash接口方式分为Serial Flash（串口）和Parallel Flash（并口），2012年市场销售额分别为29.7亿元、45.2亿元。由于在大容量存储方面并无优势，近年来NOR Flash产品的容量规格基本稳定。和笔记本电脑等传统高利润的市场应用，逐渐被低容量的NAND Flash所替代。与此同时，新兴下游整机市场的带动效应乏力，中国NOR Flash市场同全球市场一样正经历着衰退期。此外，性价比更高的Serial Flash也在逐步替代Parallel Flash，这在一定程度上也拖累了整个市场销售额的增长。

未来 年，在中国消费电子制造快速恢复和本土市场的稳定增长等有利因素的影响下，中国闪存市场将重回平稳增长的态势，市场规模将持续扩大电解铝需要的水资源、电承载负荷的能力、下游配套加工企业等都是其短板。。智能、平板电脑、固态硬盘仍将是带动闪存市场增长的主要动力，同时随着闪存技术的不断进步，价格会持续走低，单颗芯片容量会越来越大，使用的领域会逐渐拓展，智能电视、以及仪器自动化等领域将成为闪存市场新的增长点。预计到2015年，中国闪存市场有望超过1000亿元。