新器件比与标准铝电容器的使用寿命更长技术

新器件在1.2V的栅源电压下便可导通；4.5V时导通电阻为9.4 mΩ

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA4 6DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。

新的SiA4 6DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和 6mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

SiA4 6DJ可用于智能手机、平板电脑，以及移动计算应用等便携式电子产品中的负载切换。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，同时其低导通电阻可以减少传导损耗，达到降低功耗、提高效率的目的。

MOSFET在1.2V电压下就可导通，使MOSFET可以采用手持设备中常见的低压电源轨进行工作，简化了电路设计，使电池在两次充电周期之间的工作时间更长。SiA4 6DJ的低导通电阻还可以减低负载开关上的电压降，防止出现讨厌的欠压锁定现象。

SiA4 6DJ通过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令。

新的SiA4 6DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。

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