东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电

东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器

东芝推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比，新产品的高度仅为前者的54%，安装面积仅为前者的43%，有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低，但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压，适用于对绝缘规格要求较高的应用。

电气特性方面，新款光电耦合器拥有轨到轨输出，在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流，以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED，适用于多种应用，包括需要高度热稳定性的应用，例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

新产品主要规格 产品型号TLP5751TLP5752TLP5754峰值输出电流±1.0A±2.5A±4.0A供电电压15~30V电源电流3mA（最大值）阈值输入电流4mA（最大值）传播延迟时间150ns（最大值）传播延迟偏差80ns（最大值）轨到轨输出预装VUVLO功能预装爬电距离8mm（最小值）绝缘电压5000Vrms（最小值）共模瞬态抗扰度±35kV/ sec工作温度范围-40~110 C适用功率设备低功率中等功率中等功率IGBT（最高IGBT（最高IGBT（最高20A级）和80A级）和100A级）和功率MOSFET功率MOSFET功率 MOSFET