日本福井大学等成功利用GaNonGaN试

　　日本福井大学等机构的研究小组成功进行了一项试制，在氮化镓（GaN）基板上形成GaN元件，也即所谓的“GaN on GaN”异质结FET，并利用这种FET制成了逆变器。此项成果在“国际纳米科技综合展暨技术会议（nano tech 2011）”（2011年2月16～18日，东京有明国际会展中心）的日本新能源及产业技术综合开发机构（NEDO）展台上进行了展示。

　　作为可实现超过目前硅（Si）材料性能的半导体材料，GaN与碳化硅（SiC）一样，近年来迅速受到关注。这种GaN材料具有在硅基板上形成GaN元件的“GaN on Si”以及GaN on GaN的2个系统，前者由于实用化难题较少，因此试制实例较多，而后者则由于实现高性能的可能性较高，因此发展前景值得期待。但是由于难以获得高品质的大口径GaN基板等障碍因素，几乎没有制造出像逆变器那样的元件的先例。

　　日本福井大学等研究小组为了解决GaN基板大口径化问题，目前正以100mm的口径为目标着手进行开发。此次，利用在此过程中开发出的GaN基板制作技术，采用虽然直径不是100mm、但质量很高的GaN基板，试制出了具有GaN on GaN异质结FET的逆变器。据该研究小组介绍，由于此次试制的FET的性能尚未进行评估，因此无法给出准确的信息，但在此次试制过程中发现，尽管没有对FET的GaN层外延生成条件及元件构造进行优化，漏电流依然很小，在性能方面给人以信心。（：长广 恭明）